| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ZXMC6A09DN8TA |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2732 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ZXMD63C02XTA | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 3000 | MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| ZXMD63C02XTC | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 20V 8MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMD63C03XTA | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 1000 | MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| ZXMC4A16DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC4A16DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4500 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| ZXMC4559DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1191 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
