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ZXMC3A18DN8TA

Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC
参考包装数量:500
参考包装形式:带卷 (TR)

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ZXMC3A18DN8TA参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.8A,4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 毫欧 @ 5.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1800pF @ 25V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

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