| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMC4559DN8TA |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1191 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMC4A16DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4500 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| ZXMC4A16DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC6A09DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2732 | MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| ZXMC3AMCTA | Diodes Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 4459 | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| ZXMC3AM832TA | Diodes Inc | 8-MLP | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC3A18DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
