| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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TPC8216-H(TE12L,Q) |
Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6.4A 8SOP 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| TPC8221-H,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8223-H,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPC8403(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 60V 5A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
