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TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 20V 5A 8-SOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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TPC8208(TE12L,Q)参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 2.5A,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:9.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:780pF @ 10V
功率 - 最大:750mW
安装类型:表面贴装

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