| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
TPC8405(TE12L,Q,M) |
Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N/P-CH 30V SOP8 2-6J1E 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| TPC8406-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 6.5A SOP-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8407,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8408,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8404(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 2-6J1E | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8403(TE85L,F) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8403(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
