| 型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
| SI1905BDH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
| SI1905DL-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
12000 |
MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1912EDH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
21000 |
MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1913DH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
9000 |
MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1913EDH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1917EDH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET P-CH DUAL 12V SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1958DH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
63000 |
MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI1965DH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1965DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
6000 |
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1967DH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1967DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
5554 |
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1970DH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
18000 |
MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1970DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1972DH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
86668 |
MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI1972DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET N-CH 30V DUAL SC-70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI1988DH-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
27000 |
MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI1988DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
|
MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI3529DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
|
MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
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| SI3529DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
|
MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI3552DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
|
MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
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