| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1563DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 33455 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1563DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1563EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1563EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1900DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1902DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 45000 | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1902DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1903DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 12000 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1903DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1905BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1905DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 12000 | MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1912EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 21000 | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1913DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 9000 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1913EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1917EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH DUAL 12V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1958DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 63000 | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1965DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1965DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1967DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1967DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 5554 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
