| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI1965DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI1967DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1967DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 5554 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 18000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI1965DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1958DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 63000 | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI1917EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH DUAL 12V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
