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SI1563EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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简述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI1563EDH-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.13A,880mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):450mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:570mW
安装类型:*

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