| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI1905DL-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 12000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| SI1912EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 21000 | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI1913DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 9000 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI1913EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1905BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1903DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1903DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 12000 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
