| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STL66DN3LLH5 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT56 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL7DN6LF3 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 60V 20A 5X6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL8DN10LF3 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 100V 20A 5X6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL8DN6LF3 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 60V 20A 5X6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS10DN3LH5 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7565 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS1DN45K3 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 450V 0.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS1DNC45 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS1DNF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 8SOIC | ... | |||
| STS2DNF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1945 | MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS2DPF80 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS3C2F100 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS3DNE60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS3DPF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS4C3F60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS4DNF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8445 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS4DNF60 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 31044 | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS4DPF20L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS4DPF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7500 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| STS5DNF20V | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
