| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SSM6P15FE(TE85L,F) |
Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET DUAL P-CH 30V .1A ES6 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SSM6P35FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 4000 | MOSFET DUAL P-CH 20V .1A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6P36FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P41FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 7685 | MOSFET DUAL P-CH 20V .72A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6N7002FU(TE85LF) | Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CHANNEL 60V US6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N7002BFU,LF | Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 4900 | MOSFET N-CH 60V 200MA US6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 17605 | MOSFET DUAL N-CH 60V .2A US6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
