| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SSM6N15AFU,LF |
Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SSM6N15FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 24000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 0.1A ES6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6N35FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6N36FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET DUAL N-CH 20V .5A ES6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6L36FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET N-CH/P-CH 20V .5A ES6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SSM6L35FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 4000 | MOSFET N-CH/P-CH 20V .18A ES6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SSM6K211FE(TE85L,F | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
