收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SSM6N37CTD(TPL3)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba 6-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET DUAL N-CH 20V .25A CST6D
参考包装数量:1
参考包装形式:

与SSM6N37CTD(TPL3)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SSM6N37FE,LM Toshiba SOT-563,SOT-666 8000 MOSFET N CH 20V 250MA 2-2N1D FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba SOT-563,SOT-666 35329 MOSFET DUAL N-CH 20V .8A ES6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SSM6N44FE(TE85L,F) Toshiba SOT-563,SOT-666 MOSFET DUAL N-CH 30V .1A ES6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SSM6N36FE(TE85L,F) Toshiba SOT-563,SOT-666 8000 MOSFET DUAL N-CH 20V .5A ES6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SSM6N35FE(TE85L,F) Toshiba SOT-563,SOT-666 8000 MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SSM6N15FE(TE85L,F) Toshiba SOT-563,SOT-666 24000 MOSFET N-CH DUAL 30V 0.1A ES6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SSM6N37CTD(TPL3)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:12pF @ 10V
功率 - 最大:140mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别