| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SP8M4FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 100V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | ||
| SP8M5FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M5TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 702 | MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SP8M6FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M7FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M7TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M8FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M8TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M9FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M9TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 9A/5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SQ4936EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 30V 7A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SQ4942EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 40V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SQ4946EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V 4.5A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SQ9945AEY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SQJ844EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SQJ941EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL P-CH 30V PPAK 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SQJ964EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SQJ970EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 40V PPAK 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
