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SP8M51TB1

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N/P-CH 100V SOP8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SP8M51TB1参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A,2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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