| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SP8M5TB |
Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 702 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SP8M6FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SP8M6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SP8M7FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SP8M5FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 100V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | |
| SP8M4FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
