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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SQ4936EY-T1-GE3
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SQ4936EY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET DUAL N-CH 30V 7A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SQ4936EY-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SQ5153PG10SMF Laird Technologies IAS ANT SQUINT OMNI SMA FEMALE ...
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SQ4936EY-T1-GE3参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:36 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:830pF @ 25V
功率 - 最大:3.3W
安装类型:表面贴装

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