| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SP8J65TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8J66TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8K1FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 5A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K1TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10000 | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8K22FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K24FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 45V 6A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K2FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K2TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 6778 | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8K31TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K3FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 7A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K3TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10000 | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8K4FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K4TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 13207 | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8K5FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8K5TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8M10FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M10TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M2FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | ||
| SP8M3FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8M3TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
