| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SP8M3FU6TB |
Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SP8M3TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SP8M4FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 100V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | |
| SP8M2FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | |
| SP8M10TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SP8M10FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
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