收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SP8M2FU6TB
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SP8M2FU6TB

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SP8M2FU6TB相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SP8M3FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SP8M3TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SP8M4FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SP8M10TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SP8M10FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SP8K5TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SP8M2FU6TB参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:83 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:140pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别