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SP8J66TB1

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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SP8J66TB1参数资料


FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

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