| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7998DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI8900EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | 10-UFBGA，CSPBGA | MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI8901EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | 6-MICRO FOOT?CSP | 6000 | MOSFET BIDIR P-CH 20V 2X3 6-MFP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI8902EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | 6-MICRO FOOT?CSP | MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI8904EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | 6-MICRO FOOT?CSP | MOSFET N-CH BIDIR 30V 2X3 6-MFP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 20V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 25000 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI9934BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8928 | MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI9934BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI9936BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9936DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI9936DY,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9945AEY-T1 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V 5.3A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
