收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI9936BDY-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI9936BDY-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI9936BDY-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI9936DY Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI9936DY,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI9934BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI9934BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8928 MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 25000 MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

SI9936BDY-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别