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SI8900EDB-T2-E1

Vishay Siliconix 10-UFBGA,CSPBGA
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简述:MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI8900EDB-T2-E1参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 1.1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

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