| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI9934BDY-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8928 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI9934BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI9936BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI9936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 25000 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
