| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 15000 | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1026X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT563F | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 21000 | MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 3000 | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1033X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 2P-CH 20V 145MA SC89 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1034X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 36000 | MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SC-89 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1539DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 42000 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1551DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 11475 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1551DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1553DL-T1 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1553DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 15000 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1553DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 5032 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1555DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 30000 | MOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1557DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 12V SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
