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SI1035X-T1-E3

Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666
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简述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI1035X-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180mA,145mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):400mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

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