| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI1034X-T1-E3 |
Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 36000 | MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SC-89 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1033X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 2P-CH 20V 145MA SC89 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SC-89，SOT-490 | 16721 | MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
