| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI1029X-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 3000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | SC-75A | MOSFET P-CH 20V 140MA SC-75A | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SC-75A | MOSFET P-CH 20V 140MA SC-75A | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI1031X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SC-75A | MOSFET P-CH 20V 155MA SC-75A | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 21000 | MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI1026X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT563F | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
