| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6305N | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 129000 | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| FDC6306P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| FDC6310P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| FDC6312P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 3000 | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| FDC6318P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 3000 | MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| FDC6320C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 10040+87000 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDC6321C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 57843 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDC6322C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| FDC6327C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 66000 | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDC6333C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 66000 | MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDC6401N | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| FDC6420C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 39000 | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDC6432SH | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET/SYNCFET N/PCH SSOT-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| FDC6506P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 6000 | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| FDC6561AN | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 12000 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| FDC8602 | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 3000+21000 | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDD3510H | Fairchild Semiconductor | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 0+612500 | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDD8424H | Fairchild Semiconductor | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 5000 | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| FDD8424H_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| FDD8426H | Fairchild Semiconductor | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | MOSFET N/P-CH DUAL 40V TO-252-4 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
