| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FDC6312P |
Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 3000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDC6318P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 3000 | MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| FDC6320C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 10040+87000 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| FDC6321C | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 57843 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| FDC6310P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| FDC6306P | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| FDC6305N | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 129000 | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
