收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDC6310P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDC6310P

Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDC6310P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDC6312P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 3000 MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC6318P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 3000 MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC6320C Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 10040+87000 MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDC6306P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC6305N Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 129000 MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC6304P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 3000+132000 MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDC6310P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:125 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:337pF @ 10V
功率 - 最大:700mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别