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FDD3510H

Fairchild Semiconductor TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 0+612500
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简述:IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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FDD3510H参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.3A,2.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 4.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:800pF @ 40V
功率 - 最大:1.3W
安装类型:表面贴装

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