型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
SI4804BDY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
12500 |
MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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SI4804BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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SI4804CDY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss... |
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SI4804CDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss... |
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SI4808DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4808DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4814BDY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4814BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4816BDY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
20000 |
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4816BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
5000 |
MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4816DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4816DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4818DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4818DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4830ADY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4830ADY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4830CDY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4830CDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4834BDY-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
 |
SI4834BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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