收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI4830CDY-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI4830CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI4830CDY-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI4831-B30-GU Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP 频率:504kHz ~ 1.75MHz,64MHz ~ 109MHz 灵敏度:-...
SI4831BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SI4831BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SI4830CDY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI4830ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI4830ADY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI4830CDY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:950pF @ 15V
功率 - 最大:2.9W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别