型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4814BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC 参考包装数量:2500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI4816BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 20000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 5000 | MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
SI4816DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI4814BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI4812BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 6848 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI4812BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |