型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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SI7905DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET P-CH DL 40V PWRPAK 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI7909DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7909DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7911DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 6000 | MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7911DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7913DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 12000 | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 27000 | MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7922DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 12000 | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7923DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 6000 | MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7923DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7925DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7925DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7938DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI7940DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7940DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 24000 | MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7942DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 9000 | MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7942DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 18000 | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7945DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET DUAL P-CH 30V 8-SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7945DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |