型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7913DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 12000 | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 27000 | MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
SI7922DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 12000 | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
SI7911DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7911DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 6000 | MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
SI7909DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |