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SI7911DN-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双
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简述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI7911DN-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.3W
安装类型:表面贴装

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