| 型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
| SI5935DC-T1-E3 |
Vishay Siliconix
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8-SMD，扁平引线 |
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MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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| SI5935DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SMD，扁平引线 |
|
MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8 |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI5938DU-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
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MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8PWRPAK |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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| SI5943DU-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
|
MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI5943DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
|
MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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| SI5944DU-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
|
MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8PWRPAK |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI5944DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
|
MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8PWRPAK |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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| SI5947DU-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
|
MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI5947DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
3000 |
MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI5975DC-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-SMD，扁平引线 |
|
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI5975DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-SMD，扁平引线 |
|
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
| SI5980DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
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MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准
漏极至源极电压(Vdss... |
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| SI6544BDQ-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI6544BDQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
9000 |
MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI6562DQ-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
24000 |
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
| SI6562DQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
9000 |
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP |
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
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| SI6913DQ-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
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MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP |
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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| SI6924AEDQ-T1-E3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
|
MOSFET N-CH DUAL ESD 28V 8-TSSOP |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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| SI6924AEDQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
|
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
5820 |
MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP |
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
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