| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI5935DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5935DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5938DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8PWRPAK | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5943DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5943DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5944DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8PWRPAK | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5944DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8PWRPAK | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5947DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5947DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | 3000 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5975DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI5980DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI6544BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI6544BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 9000 | MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI6562DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 24000 | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 9000 | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI6913DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6924AEDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL ESD 28V 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6924AEDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 5820 | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
