| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI6562CDQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 9000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI6562DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 24000 | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 9000 | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI6913DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI6544BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI6544BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI6473DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
