收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI5980DU-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI5980DU-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI5980DU-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI5XX5X7-EVB Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL FOR XO/VCXO QUAD ...
SI5XX-EVB Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL FOR XO/VCXO SGL/DUAL ...
SI5XX-PROG-EVB Silicon Laboratories Inc 6 KIT EVALUATION FOR SI5XX ...
SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5947DU-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 3000 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI5980DU-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:567 毫欧 @ 400mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:78pF @ 50V
功率 - 最大:7.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别