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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI5980DU-T1-GE3
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SI5980DU-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI5980DU-T1-GE3参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:567 毫欧 @ 400mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:78pF @ 50V
功率 - 最大:7.8W
安装类型:表面贴装

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