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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 S开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 1212-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7904DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH D-S 20V 1212-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7904DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH D-S 20V 1212-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7905DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET P-CH DL 40V PWRPAK 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI7909DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7909DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 6000 MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7913DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 12000 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 27000 MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 12000 MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7923DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 6000 MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7925DN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7925DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI7940DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

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