收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI5933DC-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI5933DC-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI5933DC-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5935CDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 39207 MOSFET P-CH 20V 1206-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 323 MOSFET P-CH 20V 1206-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 1206-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5920DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 8V 1206-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI5933DC-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 2.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别