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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI5920DC-T1-GE3
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SI5920DC-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 8V 1206-8
参考包装数量:1
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与SI5920DC-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI5920DC-T1-GE3参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:32 毫欧 @ 6.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:680pF @ 4V
功率 - 最大:3.12W
安装类型:表面贴装

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