| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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QS6M3TR |
Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 81000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| QS6M4TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 24000 | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| QS6U22TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| QS6U24TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 10974 | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... |
| QS6K21TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 15000 | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| QS6K1TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 12000 | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| QS6J3TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
