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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > QS6M3TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

QS6M3TR

Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 81000 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴eГ閸婂潡鏌ㄩ弴妤€浜惧銈庝簻閸熸潙鐣疯ぐ鎺濇晪闁告侗鍨伴弫鎼佹⒒娓氣偓閳ь剛鍋涢懟顖涙櫠閹殿喚纾奸弶鍫涘妼濞搭喗顨ラ悙瀛樺磳妤犵偞甯掗埞鎴﹀醇濠靛洤鈧垶姊婚崒娆愮グ妞ゆ洘鐗犲畷褰掝敍閻愭潙鈧潡鏌ㄩ弬鍨挃闁活厼顦甸弻鐔兼倻濡崵鍘搁梺绋款儐閹瑰洭寮幇顓熷劅闁炽儴灏欓崙瑙勭節閻㈤潧浠滈柟鍐茬箻閹囨偐瀹割喗缍庨梺鎯х箺椤鐣锋径鎰厪濠电偛鐏濋崝婊堟煟濠靛嫬鐏叉慨濠冩そ閹兘寮堕幐搴敤闂備胶鎳撻崵鏍箯閿燂拷0755-83217923
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简述:MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与QS6M3TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
QS6M4TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 24000 MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
QS6U22TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
QS6U24TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 10974 MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
QS6K21TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 15000 MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
QS6K1TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 12000 MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
QS6J3TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

QS6M3TR参数资料

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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V,20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:230 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:80pF @ 10V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

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