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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > QS8M11TCR
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QS8M11TCR

Rohm Semiconductor 6000 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
参考包装数量:3000
参考包装形式:

与QS8M11TCR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
QS8M12TCR Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 3000 MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
QS8M13TCR Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 5993 MOSFET N/P-CH 30V 6A TSMT8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
QS8M51TR Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 5900 MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
QS8K51TR Rohm Semiconductor 6000 MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 ...
QS8J1TR Rohm Semiconductor TSMT8 3000 MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
QS6U24TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 10974 MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

QS8M11TCR参数资料


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