型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
---|---|---|---|---|---|
CSD86350Q5D |
Texas Instruments | 8-SOIC(0.236",6.00mm 宽) | 10000 | 询价QQ: |
|
简述:MOSFET N-CH 25V 40A 8SON 参考包装数量:2500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
---|---|---|---|---|---|
CSD86350Q5DEVM-604 | Texas Instruments | 5+336 | EVAL MODULE FOR CSD86350Q5D | ... | |
CSD87330Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | 5000 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON | FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(... |
CSD87331Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON | FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds... | |
CSD86330Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN | 5000 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(... |
CSD86330EVM-717 | Texas Instruments | 1+215 | EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D | ... | |
CSD86311W1723 | Texas Instruments | 12-UFBGA,DSBGA | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |