| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
CSD86311W1723 |
Texas Instruments | 12-UFBGA，DSBGA | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD86330EVM-717 | Texas Instruments | 1+215 | EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D | ... | |
| CSD86330Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN | 5000 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... |
| CSD86350Q5D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） | 10000 | MOSFET N-CH 25V 40A 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... |
| CSD75301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | 3000+9000 | MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| CSD75211W1723 | Texas Instruments | 12-UFBGA，DSBGA | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| CSD75205W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | 5956+3000 | MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
